可编程单结晶体管,gydF4y2Ba

可编程单结晶体管,把后面的单结概念的发展,使触发电压设置和其他改进。gydF4y2Ba

单结晶体管包括:gydF4y2Ba
单结晶体管和它们的类型是什么gydF4y2Ba传统diodic单结晶体管,DUJgydF4y2Ba可编程单结晶体管,使gydF4y2Ba

可编程单结晶体管或将是一个建立在最初的半导体器件diodic类型的单结晶体管。gydF4y2Ba

将有许多相似之处,但也有显著差异,使它能够被用于更多的应用程序。gydF4y2Ba

可编程单结晶体管,使gydF4y2Ba

虽然可编程单结晶体管可编程这个词在其标题,它不是可编程使用软件,等等,而是可以使用外部电阻设置触发点。gydF4y2Ba

设备的名称成立于1950年代后设备首次发明了,然后这个词可编程有着非常不同的含义。gydF4y2Ba

可编程单结有两个其他类型的设备,它和它相比竞争。这些都是原始或diodic单结晶体管,可控硅晶闸管。gydF4y2Ba

Diodic和可编程单结晶体管之间的差异gydF4y2Ba

diodic单结晶体管,DUJ是第一类型的单结开发。它被用于许多早期的电路设计,甚至是现在,当单结晶体管所提到的,它是原始类型,我们可以看到从所使用的电路符号。gydF4y2Ba

这种形式的单结使用单个硅的酒吧,和一个PN结制成。它给它gydF4y2Ba

可编程单结晶体管是由通用电气(General Electric)在1960年代早期开发后原始类型作为一个更好的选择。gydF4y2Ba

第一个迹象可以看到他们之间的分歧的电路符号。的diodic单结看起来更类似于一个结型场效应晶体管尽管发射器连接的角度在频道元素。可编程单结的电路符号看起来更像是一个晶闸管。gydF4y2Ba

比较diodic和可编程单结电路符号gydF4y2Ba
比较diodic和可编程单结电路符号gydF4y2Ba

另一个关键的区别是,diodic组件只有一个结,而可编程的一个有一个内部结构更像是一个晶闸管。gydF4y2Ba

的触发电压diodic单结决定仅仅时代他设备本身,而可编程——给设备,它的名字是由两个外部电阻的值决定gydF4y2Ba

把对可控硅晶闸管gydF4y2Ba

可编程单结晶体管非常类似于晶体闸流管越熟悉,通常被称为可控硅整流器,或在所。gydF4y2Ba

结构非常相似,他们的操作方式也很相似,因为他们都是半导体器件,可以用于控制电流。然而,也有一些差异gydF4y2Ba

  • 触发:gydF4y2Ba可编程单结晶体管或说,另一方面,可以触发电压门码头。触发可控硅的最常用的方法是通过一个小电流脉冲应用门码头。这使得将更多功能晶体闸流管,因为他们可以通过各种不同的触发信号gydF4y2Ba

  • 开态电阻:gydF4y2Ba单结晶体管的开态电阻通常远低于晶闸管。gydF4y2Ba

  • 切换速度:gydF4y2Ba可编程单结晶体管的开关速度,通常比可控硅的快得多,这是很有帮助,尤其是在一些控制应用程序。gydF4y2Ba

  • 应用程序:gydF4y2Ba鉴于他们的整体性能,两种类型的电子元件往往被用于不同的领域,最好的使用可以使他们的性能。单结倾向于使用更多的时机和振荡器电路,而晶体闸流管一般用于功率控制电路的设计。gydF4y2Ba

通常可编程单结晶体管是一个更好的选择比晶体闸流管,开关速度快是很重要的。晶体闸流管一般都选择在高电流和电压处理是很重要的。gydF4y2Ba


比较的总结可编程单结晶体管,UJTs和晶体闸流管gydF4y2Ba
参数gydF4y2Ba 可编程单结晶体管,gydF4y2Ba 晶闸管(可控硅)gydF4y2Ba
触发gydF4y2Ba 电压gydF4y2Ba 当前的gydF4y2Ba
开态电阻gydF4y2Ba 低gydF4y2Ba 更高的gydF4y2Ba
开关速度gydF4y2Ba 快gydF4y2Ba 慢gydF4y2Ba
典型的应用gydF4y2Ba 时间、振子,晶闸管驱动程序gydF4y2Ba 功率控制gydF4y2Ba

一个可编程单结晶体管结构,gydF4y2Ba

虽然可编程单结晶体管是更复杂的比基本diodic unijucntion,它仍然是一个相对简单的设备制造。gydF4y2Ba

将由四层,交替p型和n型地区大约相等的比例。gydF4y2Ba

晶闸管的设备看起来非常相似,在其建设,但不同的是,栅电极连接到旁边的n型地区p型阳极层。gydF4y2Ba

可编程单结晶体管的结构,图,显示pnpn型地区的电子组件gydF4y2Ba
Progrmmable单结晶体管结构gydF4y2Ba

除了基本的半导体设备的建设,欧姆接触是由阳极,阴极和栅极层,这样可以提供外部连接。gydF4y2Ba

。gydF4y2Ba

把特征gydF4y2Ba

的一个主要特征是可编程的单结晶体管的重要性是阳极电压和阳极电流。gydF4y2Ba

看这个的时候,应该记得,对于大多数电子电路设计,阳极连接合计他干线电压和阴极将连接到地面。大门将被连接到两个外部电阻“编程”设置触发电压比率,或更确切地对峙η和峰值电压副图所示。gydF4y2Ba

阳极电压和电流可编程单结晶体管的特性gydF4y2Ba
可编程单结晶体管阳极电流电压特性gydF4y2Ba

把单结,发现随着阳极阴极电压增加阳极电流增加。gydF4y2Ba

然而,阳极电压不能增加超过一个特定的点,在这里发现的指控注入电荷不能增加,因为饱和。gydF4y2Ba

这实际上意味着阳极电压下降引起的负阻区特性曲线。gydF4y2Ba

阳极电压持续下降,直到达到一个最低,不再降低阳极电压是有可能的,因为有完全饱和的指控。gydF4y2Ba

后最低,这也被称为谷点,阳极电压再次开始上升,它像一个典型的PN结二极管。gydF4y2Ba

负阻区可以特别有用,特别是在张弛振荡器电路的设计。gydF4y2Ba

副总裁也值得注意的峰值电压是阳极阴极电压之后,将进入一个负阻区域特征。它通常发生在一个点等于一个正向偏压N结二极管的电压(0.7 v) +门阴极电压、Vg。gydF4y2Ba

可编程单结设备电路计算的关键gydF4y2Ba

有一些参数中使用可编程单结这些与触发电路和电压。gydF4y2Ba

首先是计算一个值称为埃塔η这是电压设置门的设备,它也被称为内在对峙比. .gydF4y2Ba

ηgydF4y2Ba =gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba

计算峰值电压,VgydF4y2BapgydF4y2Ba可以使用以下公式。gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba pgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.7gydF4y2Ba VgydF4y2Ba +gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.7gydF4y2Ba VgydF4y2Ba +gydF4y2Ba VgydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.7gydF4y2Ba VgydF4y2Ba +gydF4y2Ba ηgydF4y2Ba VgydF4y2Ba

基本电路把单结gydF4y2Ba

任何单结中的某些最基本的电路之一,无论是diodic或可编程的形式是简单的张弛振荡器。gydF4y2Ba

电路使用diodic单结比一个简单的可编程单结,因为这需要额外的电阻设置或“计划”触发电压。gydF4y2Ba

可编程单结晶体管张弛振荡器电路gydF4y2Ba
可编程单结晶体管张弛振荡器电路gydF4y2Ba

在张弛振荡器中,电阻RgydF4y2Ba1gydF4y2Ba和RgydF4y2Ba2gydF4y2Ba设置峰值电压和内在对峙率η。gydF4y2Ba

电阻RgydF4y2Ba3gydF4y2Ba限制了阴极电流同时RgydF4y2Ba3gydF4y2Ba和CgydF4y2Ba1gydF4y2Ba振荡器的频率。gydF4y2Ba

振荡器的输出可以结的RgydF4y2Ba3gydF4y2Ba和CgydF4y2Ba1gydF4y2Ba,这意味着任何加载会改变振荡器的频率。如果这是需要一个合理准确的时间或频率的函数,然后像一个射极跟随器电路或源跟随器将建议提供一个高阻抗负载。gydF4y2Ba

另一种选择是把单结的阴极的输出,这将负载电路更少,虽然波形将会不同。gydF4y2Ba



可编程单结晶体管类型更广泛使用。它需要额外的电子元器件等简单的电路张弛振荡器,但这是一个更好的选择在性能方面比旧diodic单结,流行起来。gydF4y2Ba

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回到gydF4y2Ba组件菜单。gydF4y2Ba